Crocus Technology SA (Франция) и ООО «Крокус Наноэлектроника» (Россия)
MRAM: Создание производства магниторезистивной оперативной памяти в России
|
Акционеры портфельной компании Технологическое направление
Место размещения производства Год начала инвестирования: 2011 |
Общий бюджет проекта
11,8
млрд рублей
Доля РОСНАНО
4,5
млрд рублей
|
| crocusnano.com |
Организация в России производства магниторезистивной полупроводниковой памяти по технологии MRAM компании Crocus Technology с использованием технологических размеров 90–65–45 нм на пластинах 300 мм
«Крокус Наноэлектроника» — совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology, созданное в 2011 году. Компания реализует полный цикл технологических операций на завершающем этапе производства (back end of line, BEOL) интегральных схем памяти на пластинах 300 мм с проектными нормами 90/55 нм.
«Крокус Наноэлектроника» является технологическим лидером в области производства магниторезистивной памяти с произвольным доступом (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM). Продуктовый портфель компании включает RFID и микроконтроллеры, биоэлектронные чипы, микросхемы MRAM памяти и встраиваемую память, магнитные датчики для промышленной электроники, оборудования связи, автомобильной и потребительской электроники.
В 2013 году запущена первая стадия производства, заключающаяся в нанесении магнитных слоев. В начале 2014 года «Крокус Наноэлектроника» выполнила первый коммерческий заказ на обработку пластин, размещенный Crocus Technology.
Сфера применения
- Защищенная память: id-карты, биометрические паспорта, банковские карты, SIM-карты и другие смарт-карты
- Высокотемпературная память: буры для нефтегазобурения, автомобильные двигатели и прочая промышленная автоматика, подверженная высоким температурам
- Телекоммуникации: роутеры (маршрутизаторы)
- Поисковые системы: быстрый поиск
Основные потребители
- Производители смарт-карт, id-карт и электронных документов
- Производители промышленной автоматики
- Производители телекоммуникационного оборудования
Конкурентные преимущества
- Энергонезависимость, практически неограниченное число циклов перезаписи, высокая производительность при чтении и при записи
Новости
-
24 июля 2018
-
01 июня 2018
-
27 апреля 2016
-
15 марта 2016
-
09 июля 2015
Группа РОСНАНО участвует в форуме и выставке промышленных инноваций ИННОПРОМ-2015
Новости АО «РОСНАНО»
-
24 марта 2015Итоги заочного заседания Совета директоров ОАО «РОСНАНО»
Новости АО «РОСНАНО»
-
16 июля 2014Сертифицированы чистые комнаты первого в России завода по изготовлению микросхем на пластинах 300мм
Новости портфельных компаний
-
15 июля 2014Компания Crocus Technology получила первый заказ на поставку миллиона магнитных датчиков
Новости портфельных компаний
-
28 апреля 2014Компания Крокус Наноэлектроника успешно привлекла дополнительное финансирование
Новости портфельных компаний
-
03 апреля 2014Компании Crocus Technology и TowerJazz получили одобрение на магнитные датчики CTSX. Начато их массовое производство
Новости портфельных компаний
-
10 февраля 2014«Крокус Наноэлектроника» выполнила первый коммерческий заказ
Новости портфельных компаний
-
29 января 2014Компания Crocus предоставила ARM лицензию на технологию MLU
Новости портфельных компаний
-
31 октября 2013
-
17 сентября 2013Jusung Engineering поставит оборудование портфельной компании РОСНАНО «Крокус Наноэлектроника»
Новости портфельных компаний
-
18 июля 2013
-
04 марта 2013Оборудование KLA-Tenor будет установлено на производстве ООО «Крокус Наноэлектроника»
Новости портфельных компаний
-
13 февраля 2013ООО «Крокус Наноэлектроника» выбрало компанию ASML в качестве поставщика литографического оборудования
Новости портфельных компаний
-
16 ноября 2012Crocus Technology закончила разработку контроллера для критически важных приложений
Новости портфельных компаний
-
13 марта 2012Crocus и Кинтех подписывают соглашение о проведении в России НИОКР в области нанотехнологий
Новости портфельных компаний
-
10 ноября 2011
-
06 октября 2011Ведомости: Чип Чубайса. В мае партнером Crocus стала РОСНАНО, а вчера — IBM
СМИ о портфельной компании
-
05 октября 2011Компании Crocus и IBM подписали соглашения о технологическом сотрудничестве и взаимном лицензировании патентов
Новости портфельных компаний
-
14 сентября 2011Борис Омаров назначен генеральным директором проектной компании РОСНАНО «Крокус Наноэлектроника»
Новости портфельных компаний
-
31 августа 2011РИА Новости: Crocus намерена использовать патенты NXP для защиты бизнеса в России
СМИ о деятельности РОСНАНО
-
27 июня 2011КоммерсантЪ-Наука: В России будет построена первая в мире фабрика микросхем памяти MRAM по технологии 65 нм
СМИ о деятельности РОСНАНО
-
17 мая 2011
-
РИА Новости: РОСНАНО и Crocus Technology откроют в РФ производство памяти MRAM
СМИ о портфельной компании
Технологии и продукты
MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) — технология компьютерной памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания Микросхемы Crocus MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с низкой стоимостью и энергонезависимостью Flash.
Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988 году эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007 физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х годов сразу несколько компаний начали интенсивные разработки MRAM, среди которых преуспела компания Motorola, выпустившая в 2005 первый чип емкостью 1 Мбит, созданный по нормам 180 нм. Однако, только Crocus на текущий момент удалось создать действующий 130-нм чип и продемонстрировать возможность производства 90-нм магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.
Технология термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS™) — разработанная Crocus и защищенная патентами технология, в которой запись производится при нагревании ячейки памяти.
