ООО «Крокус Наноэлектроника»

Производство энергонезависимой памяти

Действующий завод

Акционеры портфельной компании 
АО «РОСНАНО»

Технологическое направление 
Наноэлектроника и фотоника

Место размещения производства 
Москва
100 высококвалифицированных специалистов

Год начала инвестирования:  2011

Первое в России BEOL (back-end-of-line) производство электронных компонентов на пластинах 300 мм

Крокус Наноэлектроника (CNE) – первое в России BEOL (back-end-of-line) производство электронных компонентов на пластинах 300 мм, оснащенное современным оборудованием, передовыми технологиями и возможностью работы с уникальными магнитными, диэлектрическими и ионно-проводящими материалами. Компания осуществляет завершающие стадии полупроводникового производства чипов энергонезависимой резистивной памяти, радиочастотной идентификации (RFID), магнитных датчиков, интегральных пассивных устройств, интерпозеров, а также биочипов.

Сфера применения

  • Интернет вещей
  • Медицина
  • Безопасность
  • Ритейл
  • Логистика
  • Потребительская и промышленная электроника

Высокие компетенции и экспертиза

  • Фотолитография
  • Сухое травление
  • Обработка магнитных структур
  • Производство тонких пленок
  • Интеграция производственных процессов
  • Разработка технологических процессов и НИОКР
  • Прототипирование и производственные услуги

Конкурентные преимущества

  • Передовое технологическое и метрологическое оборудование для 300 мм пластин
  • Промышленное и массовое производство пластин
  • Разработка процессов с учетом требований заказчика
  • Инженеры обучены по методике «6-Сигма»

Резистивная память с произвольным доступом (ReRAM, Resistive random-access memory)

Принцип работы энергонезависимой памяти ReRAM заключается в изменении сопротивления ячейки памяти под действием приложенного напряжения. За счёт этого высокое и низкое сопротивления ячейки могут быть использованы для хранения и считывания информации. Функциональной основой ReRAM-ячейки является структура металл-диэлектрик-металл. В качестве диэлектрического слоя применяются оксиды переходных металлов (HfO2, Ta2O6). В сравнении с флеш-памятью NAND, чипы ReRAM оказываются существенно быстрее и расходуют меньше энергии в активном режиме.

CBRAM (conductive-bridging RAM) — один из вариантов ReRAM. В активный слой из аморфного кремния внедряются атомы меди или серебра для создания токопроводящих мостиков. При этом один из электродов сделан из инертного металла (например, вольфрама), а второй — из химически активного (например, медь или серебро). При появлении на электродах напряжения, ионы металла выстраиваются в мостик, по которому и проходит ток.

Разработанный UHF RFID чип объединяет энергонезависимую память CBRAM, аналоговый интерфейс (AFE) и цифровое ядро для формирования реализации тега EPC Gen2 на одном кристалле. Чип UHF RFID разработан как бюджетное и эффективное решение и применим, например, для автоматизации логистики, управления складскими запасами, отслеживания авиабагажа и много другого. А благодаря уникальным особенностям инновационной встроенной памяти CBRAM, чип UHF RFID подходит для специальных применений, требующих устойчивости к воздействию излучения (гамма-стерилизация медицинских инструментов).