Итоги заочного заседания Совета директоров ОАО «РОСНАНО»
Совет директоров принял решение внести изменения в основные параметры реализации проекта «MRAM: Создание производства магниторезистивной оперативной памяти в России». В частности, было одобрено предоставление головной компании Crocus Technology дополнительного финансирования в рамках участия РОСНАНО в очередном раунде наряду с другими инвесторами.
Напомним, что магниторезистивная память (MRAM) является универсальной полупроводниковой памятью и объединяет в себе лучшие свойства других видов памяти (энергонезависимость, высокая скорость чтения/записи, высокое количество циклов перезаписи).
В октябре 2013 года российское подразделение компании — «Крокус Наноэлектроника» — запустило первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти на территории Технополиса «Москва». В январе 2014 начаты поставки коммерческой продукции. Более 85% объема выручки «Крокус Наноэлектроника» предполагается получать от экспорта за рубеж.
СПРАВКА
ООО «Крокус Наноэлектроника» (КНЭ) является совместным предприятием, созданным в 2011 году компанией Crocus Technology, Inc., разработчиком технологии MRAM, и ОАО «РОСНАНО», Российским государственным инвестиционным фондом, содействующим реализации государственной политики по развитию нанотехнологий. КНЭ строит первый в мире завод по производству магнитной памяти, который будет серийно выпускать современные MLU устройства на пластинах 300мм по технологии Thermally Assisted Switching™ (TAS) MRAM
Подробнее о компании — www.crocusnano.com