Новости

Последние события и самая актуальная информация о деятельности РОСНАНО

Сертифицированы чистые комнаты первого в России завода по изготовлению микросхем на пластинах 300мм

16 июля 2014

Компания ООО «Крокус Наноэлектроника» (КНЭ) — созданное в 2011 году совместное предприятие Crocus Technology, ведущего разработчика технологии полупроводников, усовершенствованной за счет магнитных элементов, и ОАО «РОСНАНО», которое содействует реализации государственной политики по развитию наноиндустрии в Российской Федерации, сообщает об успешном прохождении сертификации своих чистых комнат, расположенных в Москве (Россия) в соответствии с требованиями ISO 14644–1.

Чистые комнаты на производственных площадях сертифицированы по самому современному классу — 1000 (ISO 6). Теперь эти чистые комнаты готовы к размещению оборудования и являются сердцем первого в России завода по изготовлению микросхем на пластинах диаметром 300мм, производительность которого составит до 1000 пластин в неделю.

«Сертификация наших чистых комнат — очень важная веха в подготовке завода. Мы надеемся подключить оборудование чистых комнат к инфраструктуре завода в следующем квартале и начать процесс квалификации оборудования завода в сентябре 2014 года. Достижение этой вехи произошло также благодаря нашему генеральному подрядчику — компании Faeth, которая закончила работы по инфраструктуре завода и чистым комнатам, а также получила контракт на проведение работ по подключению оборудования к инфраструктуре завода» — сообщил Марк Дидик, Генеральный директор КНЭ.

Справка

ООО «Крокус Наноэлектроника» (КНЭ) является совместным предприятием, созданным в 2011 году компанией Crocus Technology, Inc., разработчиком технологии MRAM, и ОАО «РОСНАНО», Российским государственным инвестиционным фондом, содействующим реализации государственной политики по развитию нанотехнологий. КНЭ строит первый в мире завод по производству магнитной памяти, который будет серийно выпускать современные MLU устройства на пластинах 300мм по технологии Thermally Assisted Switching™ (TAS) MRAM (магнитно-резистивная память с термическим переключением) с топологическим размером 90нм и 65нм.

Подробнее о компании — www.crocusnano.com