ЗАО «Научное и техническое оборудование» (НТО)

Технологическое оборудование для молекулярно-пучковой эпитаксии и планарного процессинга

Акционеры портфельной компании 
АО «РОСНАНО», частные соинвесторы

Технологическое направление 
Наноэлектроника и фотоника

Место размещения производства 
Санкт-Петербург
56 рабочих мест

Год начала инвестирования:  2010

Общий бюджет проекта
618,5  млн рублей
Доля РОСНАНО
136,5  млн рублей

Расширение серийного выпуска высоковакуумного технологического оборудования SemiTEq. Разработка клиентоориентированных технологических процессов. Поддержка инфраструктурных проектов РОСНАНО

ЗАО «Научное и технологическое оборудование» (ЗАО «НТО») под маркой SemiTEq® разрабатывает и производит широкий спектр вакуумного оборудования, которое отвечает всем современным требованиям полупроводниковой технологии. Ключевые компетенции компании — разработка и производство систем молекулярно­лучевой эпитаксии (МЛЭ) для полупроводниковых материалов А3N, А3В5 и широкозонных материалов А2В6, а также оборудования для проведения основных операций планарного цикла (формирования чипов полупроводниковых приборов на пластине).

Реализация проекта направлена на коммерциализацию новых разработок ЗАО «НТО» и расширение серийного производства с целью импортозамещения на российском рынке, а также вывод на зарубежные рынки российских высокотехнологичных разработок. Компания успешно поставляет оборудование на рынки Республики Беларусь, Индии, Сингапура, Канады, а также планирует реализацию новых проектов на ряде развивающихся рынков.

Узлы установок ЗАО «НТО» имеют запатентованный дизайн или включают технологическое ноу­хау. Комплекс оборудования SemiTEq® обеспечивает выполнение критически важных технологических операций в рамках проведения разработок и производства современной электронной компонентной базы. Ведущие специалисты Компании имеют более чем 20-летний опыт в области полупроводниковых технологий и разработки специализированного технологического оборудования, что обеспечивает создание уникальных и комплексных решений для заказчиков.

В 2009 году Международная премия в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE в номинации «Наноэлектроника» присуждена за работы в области молекулярно-пучковой эпитаксии: академику Леониду Келдышу (Россия) за теоретические исследования структур и эффектов, широко используемых в молекулярно-пучковой эпитаксии и профессору Альфреду И Чо (США) за исследования и разработку технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, необходимой для получения наногетероструктур и их применения в наноэлектронике, а также компании RIBER. S. A. (Франция) за разработку оборудования для молекулярно-лучевой эпитаксии.

Сфера применения

  • Разработка и производство специального технологического оборудования в области наноэлектроники, микроэлектроники, оптоэлектроники.

Конкурентные преимущества

  • Полный комплекс услуг от проектирования оборудования до постановки технологических процессов.
  • Тестирование технологических процессов на аналогичном оборудовании в Прикладной лаборатории компании.
  • Инжиниринг оборудования под специальные задачи в сжатые сроки.
  • Тренинг персонала заказчика входит в стоимость поставки.
  • Гарантийная и послегарантийная сервисная поддержка.
  • Оптимальное соотношение цена-качество (разница в цене 15–30% с лучшими мировыми аналогами).
  • 20-летний опыт создания оборудования для нанесения тонких пленок.

Основные потребители

  • Предприятия радиоэлектронной промышленности.
  • Научные лаборатории ВУЗов, исследовательских институтов и научных центров, ведущих разработки в области микро- и наноэлектроники.

ЗАО «НТО» имеет в своем продуктовом портфеле 4 основных линейки оборудования

Установки молекулярно-лучевой эпитаксии для классических полупроводниковых соединений А3В5, широкозонных полупроводниковых соединений А2В6, нитридов III группы.

Системы для формирования тонкопленочных структур полупроводниковых приборов на пластине (так называемое, оборудование планарного цикла), включая:

  • установки физического осаждения: оборудование для электронно-лучевого и магнетронного напыления тонких пленок металлов и диэлектриков;
  • установки плазмохимического травления и нанесения, в том числе в индуктивно-связанной плазме;
  • установки быстрого термического отжига и проведения высокотемпературной обработки в контролируемой газовой среде.

Оборудование ориентировано на научные исследования и разработки (R&D), а также на мелко- и среднесерийный выпуск продукции (полупроводниковых чипов и эпитаксиальных гетероструктур).

Технология молекулярно-пучковой эпитаксии позволяет наносить на поверхность подложки (например, из кремния, сапфира или арсенида галлия) слои различных полупроводников и диэлектрических материалов толщиной вплоть до одного атомного слоя. Эти вещества нагреваются в эффузионных ячейках установки для эпитаксии. Пучок испарившихся молекул направляется на подложку, где оседает тонким слоем определенного состава. Так, шаг за шагом, можно выращивать многослойную структуру, в которой чередуются материалы с разными свойствами, с разным типом проводимости, разной шириной запрещенной зоны. Процесс роста проводится в сверхвысоком вакууме — построение молекулы могут привести к искажению свойств создаваемой структуры.

В результате получаются гетероструктуры, существование которых было предсказано в начале 60-х годов академиком Леонидом Келдышем. Поскольку с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии удается получать сверхтонкие слои толщиной всего в несколько атомов, в материале проявляются квантово-механические эффекты, которые меняют его оптические и электрические свойства.

Молекулярно-пучковая эпитаксия открывает путь к принципиально новой электронике, сверхбыстрым компьютерам или, например, солнечным батареям со значительно более высоким КПД, новым оптическим устройствам для телекоммуникаций и другим приложениям.

Молекулярно-пучковая эпитаксия