Crocus Technology SA (Франция) и ООО «Крокус Наноэлектроника» (Россия)

MRAM: Создание производства магниторезистивной оперативной памяти в России

Действующий завод

Акционеры портфельной компании 
АО «РОСНАНО», CDC Innovation, IDInvest Partners, NanoDimension, Sofinnova Ventures, Ventech, ГК «Промышленные инвесторы»

Технологическое направление 
Наноэлектроника и фотоника

Место размещения производства 
Москва
100 высококвалифицированных специалистов

Год начала инвестирования:  2011

Общий бюджет проекта
11,8  млрд рублей
Доля РОСНАНО
4,5  млрд рублей

Организация в России производства магниторезистивной полупроводниковой памяти по технологии MRAM компании Crocus Technology с использованием технологических размеров 90–65–45 нм на пластинах 300 мм

«Крокус Наноэлектроника» — совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology, созданное в 2011 году. Компания реализует полный цикл технологических операций на завершающем этапе производства (back end of line, BEOL) интегральных схем памяти на пластинах 300 мм с проектными нормами 90/55 нм.

«Крокус Наноэлектроника» является технологическим лидером в области производства магниторезистивной памяти с произвольным доступом (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM). Продуктовый портфель компании включает RFID и микроконтроллеры, биоэлектронные чипы, микросхемы MRAM памяти и встраиваемую память, магнитные датчики для промышленной электроники, оборудования связи, автомобильной и потребительской электроники.

В 2013 году запущена первая стадия производства, заключающаяся в нанесении магнитных слоев. В начале 2014 года «Крокус Наноэлектроника» выполнила первый коммерческий заказ на обработку пластин, размещенный Crocus Technology.

Сфера применения

  • Защищенная память: id-карты, биометрические паспорта, банковские карты, SIM-карты и другие смарт-карты
  • Высокотемпературная память: буры для нефтегазобурения, автомобильные двигатели и прочая промышленная автоматика, подверженная высоким температурам
  • Телекоммуникации: роутеры (маршрутизаторы)
  • Поисковые системы: быстрый поиск

Основные потребители

  • Производители смарт-карт, id-карт и электронных документов
  • Производители промышленной автоматики
  • Производители телекоммуникационного оборудования

Конкурентные преимущества

  • Энергонезависимость, практически неограниченное число циклов перезаписи, высокая производительность при чтении и при записи

MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) — технология компьютерной памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания Микросхемы Crocus MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с низкой стоимостью и энергонезависимостью Flash.

Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988 году эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007 физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х годов сразу несколько компаний начали интенсивные разработки MRAM, среди которых преуспела компания Motorola, выпустившая в 2005 первый чип емкостью 1 Мбит, созданный по нормам 180 нм. Однако, только Crocus на текущий момент удалось создать действующий 130-нм чип и продемонстрировать возможность производства 90-нм магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.

Технология термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS™) — разработанная Crocus и защищенная патентами технология, в которой запись производится при нагревании ячейки памяти.