Crocus Technology SA (Франция) и ООО «Крокус Наноэлектроника» (Россия)

MRAM: Создание производства магниторезистивной оперативной памяти в России

Действующий завод

Акционеры портфельной компании 
АО «РОСНАНО», CDC Innovation, IDInvest Partners, NanoDimension, Sofinnova Ventures, Ventech, ГК «Промышленные инвесторы»

Технологическое направление 
Наноэлектроника и фотоника

Место размещения производства 
Москва
100 высококвалифицированных специалистов

Год начала инвестирования:  2011

Общий бюджет проекта
11,8  млрд рублей
Доля РОСНАНО
4,5  млрд рублей

Организация в России производства магниторезистивной полупроводниковой памяти по технологии MRAM компании Crocus Technology с использованием технологических размеров 90–65–45 нм на пластинах 300 мм

Предприятие «Крокус Наноэлектроника» должно стать первым в мире производством магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90, 65 и 45 нанометров на пластинах диаметром 300 мм по технологии Crocus Technology. На стандартные кремниевые пластины, произведенные по технологии КМОП, на заводе в Москве будут наноситься финальные высокотехнологичные слои для создания чипов памяти MRAM.

В 2013 году запущена первая стадия производства, заключающаяся в нанесении магнитных слоев. В начале 2014 года «Крокус Наноэлектроника» выполнила первый коммерческий заказ на обработку пластин, размещенный Crocus Technology. В 2014 году ожидается расширение производства за счет добавления таких этапов, как травление слоев и литография, что позволит сосредоточить все ключевые операции по производству МRАМ на заводе Проектной компании в Москве. Мощность в рамках первой фазы составит до 500 КМОП-пластин в неделю. На второй фазе инвестиций его мощность будет увеличена до 1000 пластин в неделю.

О технологических и рыночных перспективах разработок Crocus свидетельствуют заключенные соглашения:

  • с компанией IBM о технологическом сотрудничестве и взаимном лицензировании патентов, подписанное в октябре 2011 года;
  • с компаниями Morpho и Gemalto — крупнейшими мировыми поставщиками решений для смарт-карт, сим-карт, идентификации, обнаружения и электронной документации — о совместной разработке и коммерциализации первых в мире смарт-карт на основе уникальной технологии Crocus;
  • С компанией ARM — о кросс-лицензировании и создании микроконтроллеров на основе архитектуры ARM и технологии MLU, разработанной Crocus Technology.

Деятельность Crocus в России не ограничивается созданием производства. Над улучшением технологии будут работать российские исследовательские организации, в которые Crocus планирует инвестировать до $5 млн. Первый исследовательский контракт заключен с компанией «Кинтех Лаб», которая начала разработку программной платформы для моделирования ячейки магниторезистивной памяти.

Сфера применения

  • Защищенная память: id-карты, биометрические паспорта, банковские карты, SIM-карты и другие смарт-карты
  • Высокотемпературная память: буры для нефтегазобурения, автомобильные двигатели и прочая промышленная автоматика, подверженная высоким температурам
  • Телекоммуникации: роутеры (маршрутизаторы)
  • Поисковые системы: быстрый поиск

Основные потребители

  • Производители смарт-карт, id-карт и электронных документов (Гознак, Morpho и др.)
  • Производители промышленной автоматики (Siemens, Bosch)
  • Производители телекоммуникационного оборудования (Cisco, Belkin, D-link)

Конкурентные преимущества

  • Энергонезависимость, практически неограниченное число циклов перезаписи, высокая производительность при чтении и при записи

MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) — технология компьютерной памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания Микросхемы Crocus MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с низкой стоимостью и энергонезависимостью Flash.

Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988 году эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007 физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х годов сразу несколько компаний начали интенсивные разработки MRAM, среди которых преуспела компания Motorola, выпустившая в 2005 первый чип емкостью 1 Мбит, созданный по нормам 180 нм. Однако, только Crocus на текущий момент удалось создать действующий 130-нм чип и продемонстрировать возможность производства 90-нм магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.

Технология термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS™) — разработанная Crocus и защищенная патентами технология, в которой запись производится при нагревании ячейки памяти.