Новости

Последние события и самая актуальная информация о деятельности РОСНАНО

Портфельная компания РОСНАНО «Крокус Наноэлектроника» начала сотрудничество с Shanghai Huali Microelectronics Corporation (HLMC) и Adesto

24 июля 2018

«Крокус Наноэлектроника» (КНЭ), современное производство микроэлектроники на пластинах 300 мм по завершающим стадиям полупроводникового производства, объявила о сотрудничестве с компаниями: Shanghai Huali Microelectronics Corporation (HLMC), ведущий контрактный производитель полупроводников в Китае и Adesto Technologies (NASDAQ: IOTS), ведущий поставщик энергонезависимых микросхем памяти с ультра-низким энергетическим потреблением. Цель сотрудничества — разработка новых продуктовых направлений микросхем для RFID, микроконтроллеров и микросхем памяти на основе технологии резистивной памяти, разработанной компанией Adesto — Conductive Bridging RAM (CBRAM®).

Проприетарная технология CBRAM компании Adesto опробована в производстве энергоэффективных постоянных запоминающих устройств для «Интернета вещей», микроконтроллеров и других применений, энергетическое потребление которых значительно ниже технологии флеш-памяти. Кроме того, технология CBRAM обеспечивает улучшенную производительность по сравнению со стандартными технологиями энергонезависимой памяти.

Сочетание технологии CBRAM компании Adesto, начальных процессов 55 нм компании HLMC и завершающих процессов производства пластин 300 мм компании «Крокус Наноэлектроника», позволит организовать экономически-эффективное производство встраиваемой памяти и микросхем запоминающих устройств.

Технологический процесс 55 нм — является оптимальной кремниевой платформой производства устройств с низким энергопотреблением для «Интернета вещей» — клиенты могут использовать преимущества технологии CBRAM, улучшить энергетические параметры и быстродействие. Это соответствует требованиям устройств с батарейным питанием для «Интернета вещей» и носимых устройств, а также других автономных приборов с длительным сроком службы. Кроме того, сочетание технология RRAM компании Adesto и проектных норм 55 нм обеспечит повышение эффективности для встраиваемой памяти, так как RRAM память требует меньшего числа масок по сравнению с альтернативными технологиями.

«Компания HLMC обеспечивает для своих клиентов современные технологии и полный комплекс производственных услуг. Совместно с Adesto и CNE мы стремимся сделать эту продвинутую технологию доступной для широкого рынка и растущего числа применений», сказал Джек Ци Шу, исполнительный вице-президент компании HLMC. «Мы ожидаем быстрый выход на проектную мощность на 55нм, а также оцениваем потенциал для снижения проектных норм».

«Технология CBRAM является идеальной встраиваемой энергонезависимой памятью для устройств Интернета вещей с ультра-низким энергопотреблением. Мы рады, что наши компании теперь смогут включать CBRAM в широкий спектр продуктов, которые будут иметь преимущества от высокой плотности записи», — сказал Венкатеш (P.G.) Гопинатх, вице-президент компании Adesto по исследованиям и разработке технологии CBRAM. «Вместе с HLMC и CNE, мы сможем развивать новые семейства продуктов, конкурентоспособных благодаря передовой технологии памяти».

«Крокус Наноэлектроника сфокусирована на инновационных технологиях постоянных запоминающих устройств, включая MRAM и RRAM, и мы готовы к работе с нашими клиентами для продвижения на рынке продуктов на основе технологии CBRAM», — прокомментировал Владимир Крупник, заместитель генерального директора по развитию бизнеса компании Крокус Наноэлектроника. «Мы уже убедились в том, что потенциальные заказчики проявляют большой интерес к этой технологии для RFID, микроконтроллеров и других применениях».

Adesto — первая компания, которая вывела на рынок продукт на основе технологии резистивной RAM памяти — семейство микросхем Mavriq серийной EEPROM. Последующее семейство микросхем Moneta было разработано для энергоэффективных решений. Оба семейства микросхем Mavriq и Moneta созданы на основе технологии CBRAM.

Справка

ООО «Крокус Наноэлектроника» (КНЭ) является совместным предприятием, созданным в 2011 году компанией Crocus Technology, Inc., разработчиком технологии MRAM, и ОАО «РОСНАНО», Российским государственным инвестиционным фондом, содействующим реализации государственной политики по развитию нанотехнологий. КНЭ строит первый в мире завод по производству магнитной памяти, который будет серийно выпускать современные MLU устройства на пластинах 300мм по технологии Thermally Assisted Switching™ (TAS) MRAM (магнитно-резистивная память с термическим переключением) с топологическим размером 90нм и 65нм.

Подробнее о компании — www.crocusnano.com