Новости

Последние события и самая актуальная информация о деятельности РОСНАНО

Портфельная компания РОСНАНО «Крокус Наноэлектроника» запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти

31 октября 2013

В рамках Международного форума «Открытые инновации» компания «Крокус Наноэлектроника», совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology, приступила к производству магниторезистивной памяти (MRAM).

В торжественной церемонии открытия завода по телемосту приняли участие Мэр Москвы Сергей Собянин, председатель правления РОСНАНО Анатолий Чубайс, генеральный директор Crocus Technology (Франция) Жан-Люк Сенти и генеральный директор «Крокус Наноэлектроника» Борис Омаров.

Магниторезистивная память (MRAM), совмещающая в себе энергонезависимость, высокую скорость записи/чтения и практически неограниченное количество циклов перезаписи, является памятью нового поколения. Продукция проекта, основанная на MRAM и уникальной технологии MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка), разработанной Crocus Technology совместно с IBM, может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications — NFC) и защищенной памяти. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.

Строительство производства компании «Крокус Наноэлектроника» на территории Технополиса «Москва» — один из примеров сотрудничества РОСНАНО и правительства Москвы, которое развивает на территории бывшего АЗЛК уникальную площадку для высокотехнологичных компаний. «Крокус Наноэлектроника» стал первым резидентом будущего микроэлектронного кластера.

Первая очередь производства «Крокус Наноэлектроника», введенная в строй за год с момента начала строительства, станет первым в мире производством MRAM с проектными нормами 90 нанометров. На 200- и 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП (комплементарный металлооксидный полупроводник), на заводе наносятся дополнительные слои для создания ячеек памяти MRAM. К концу 2014 года его производительность составит 500 пластин в неделю. Общий объем инвестиций в проект превышает €200 млн, включая софинансирование РОСНАНО в размере €100 млн.

Технологическая справка

MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) — технология цифровой памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, т. е. возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.

Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988 году эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007 физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х годов сразу несколько компаний начали интенсивные разработки MRAM, среди которых преуспела компания Motorola, выпустившая в 2005 году первый чип емкостью 1 Мбит, созданный по нормам 180 нанометров. Однако только Crocus Technology на текущий момент удалось создать действующий 130-нанометровый чип и продемонстрировать возможность производства 90-нанометровой магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.

Технология термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS™) — разработанная Crocus Technology и защищенная патентами технология, в которой запись производится при нагревании ячейки памяти.

Дополнительные материалы

Справка

Открытое акционерное общество «РОСНАНО» создано в марте 2011 года путем реорганизации государственной корпорации «Российская корпорация нанотехнологий». ОАО «РОСНАНО» содействует реализации государственной политики по развитию наноиндустрии, инвестируя напрямую и через инвестиционные фонды нанотехнологий в финансово эффективные высокотехнологичные проекты, обеспечивающие развитие новых производств на территории Российской Федерации. Основные направления инвестирования: электроника, оптоэлектроника и телекоммуникации, здравоохранение и биотехнологии, металлургия и металлообработка, энергетика, машино- и приборостроение, строительные и промышленные материалы, химия и нефтехимия. 100% акций ОАО «РОСНАНО» находится в собственности государства.

Функцию управления активами ОАО «РОСНАНО» выполняет созданное в декабре 2013 г. Общество с ограниченной ответственностью «Управляющая компания «РОСНАНО», председателем правления которого является Анатолий Чубайс.

Задачи по созданию нанотехнологической инфраструктуры и реализации образовательных программ выполняются Фондом инфраструктурных и образовательных программ, также созданным в результате реорганизации госкорпорации.

* * *

ООО «Крокус Наноэлектроника» (КНЭ) является совместным предприятием, созданным в 2011 году компанией Crocus Technology, Inc., разработчиком технологии MRAM, и ОАО «РОСНАНО», Российским государственным инвестиционным фондом, содействующим реализации государственной политики по развитию нанотехнологий. КНЭ строит первый в мире завод по производству магнитной памяти, который будет серийно выпускать современные MLU устройства на пластинах 300мм по технологии Thermally Assisted Switching™ (TAS) MRAM (магнитно-резистивная память с термическим переключением) с топологическим размером 90нм и 65нм.

Подробнее о компании — www.crocusnano.com